开关电源中几种常用的MOSFET驱动电路

石材雕刻机 | 2021-02-01

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大赢家足球比分网-MOSFET因导通内阻较低、电源速度快等优点被普遍应用于开关电源中。MOSFET的驱动经常根据电源IC和MOSFET的参数自由选择适合的电路。下面一起探究MOSFET用作开关电源的驱动电路。

  在用于MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑到MOSFET的导通电阻、仅次于电压、仅次于电流。但很多时候也意味着考虑到了这些因素,这样的电路或许可以长时间工作,但并不是一个好的设计方案。更加精细的,MOSFET还不应考虑到本身宿主的参数。对一个确认的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输入的峰值电流,下降速率等,都会影响MOSFET的电源性能。

  当电源IC与MOS管指定之后,自由选择适合的驱动电路来相连电源IC与MOS管就变得特别是在最重要了。  一个好的MOSFET驱动电路有以下几点拒绝:  (1)电源管通车瞬时,驱动电路不应能获取充足大的充电电流使MOSFET栅源极间电压很快下降到所需值,确保电源管能较慢通车且不不存在下降沿的高频波动。

  (2)电源导通期间驱动电路能确保MOSFET栅源极间电压保持稳定且可信导通。  (3)变频器瞬间驱动电路能获取一个尽量较低电阻的通路供MOSFET栅源极间电容电压的较慢泄放,确保电源管能较慢变频器。  (4)驱动电路结构非常简单可信、损耗小。

  (5)根据情况产生隔绝。  下面讲解几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。  1、电源IC必要驱动MOSFET图1IC必要驱动MOSFET  电源IC必要驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,用于这种驱动方式,应当留意几个参数以及这些参数的影响。第一,查阅一下电源IC手册,其仅次于驱动峰值电流,因为有所不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。

第二,理解一下MOSFET的寄生电容,如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值较为大,MOS管导通的必须的能量就较为大,如果电源IC没较为大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力严重不足,下降沿有可能经常出现高频波动,即使把图1中Rg增大,也无法解决问题!IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管电源速度等因素,都影响驱动电阻阻值的自由选择,所以Rg并无法无限增大。  2、电源IC驱动能力严重不足时  如果自由选择MOS管寄生电容较为大,电源IC内部的驱动能力又严重不足时,必须在驱动电路上强化驱动能力,经常用于图腾柱电路减少电源IC驱动能力,其电路如图2虚线框右图。

图2图腾柱驱动MOS  这种驱动电路起到在于,提高电流获取能力,很快已完成对于栅极输出电容电荷的电池过程。这种流形减少了导通所必须的时间,但是增加了变频器时间,电源管能较慢通车且防止下降沿的高频波动。。

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